Теплоотвод IGBT для пайки экструдированного алюминия на заказ

Благодаря высокой частоте коммутации, отсутствию буферной цепи, простой защите и превосходной надежности радиаторы IGBT становятся все более важными на рынке электроники.Для достижения такого высокого уровня производительности были использованы многочисленные методы интегральных схем, в том числе тонкая литография, ионная имплантация и эпитаксия.Производительность радиатора модуля Power IGBT значительно возросла за последние годы;теперь он может выдерживать напряжение более 1500 В и иметь номинальный ток в сотни ампер.

Характеристики радиатора p-канального силового модуля IGBT аналогичны характеристикам n-канального IGBT, поскольку устройства IGBT имеют положительные характеристики PIN-диода.Это упрощает внедрение дополнительных структур в приложения, что расширяет возможности использования устройств в области технологий переменного тока и цифрового управления.Способность IGBT выдерживать удары тока как во включенном состоянии, так и в состоянии короткого замыкания является его величайшей особенностью.Короткая задержка отключения делает последовательное соединение простым, а параллельное соединение безотказным.

В дополнение к нашим обычным радиаторам мы предоставляем индивидуальные конструкции, чтобы удовлетворить уникальные потребности наших клиентов.Вместе вы и наша квалифицированная команда инженеров сможете создать уникальный радиатор, отвечающий всем вашим требованиям.

Для получения дополнительной информации свяжитесь с нами(https://www.cncyaotai.com/contact-us/) прямо сейчас!